Полупроводниковые приборы.

СОДЕРЖАНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

1.  ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ.

1.1. Идеализированные статические вольт-амперные характеристики транзисторов.

1.2. Реальные статические вольт-амперные характеристики транзимторов.

2.  ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРОИСХОДЯЩЩИЕ В ПРИБОРАХ ТУННЕЛИСТОР и БИСПИН.

2.1. Идеальный контакт металл-полупроводник.

2.2. Реальный контакт металл-полупроводник.

2.3. Неустойчивость тока в транзисторной структуре с контактом металл-полупроводник.

3.  ИССЛЕДОВАНИЕ СЕМЕЙСТВА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРОВ ТУННЕЛИСТОР и БИСПИН.

3.1. Семейство вольт-амперных характеристик приборов с общим В-электродом (базой).

3.2. Семейство вольт-амперных характеристик приборов с общим А-электродом.

3.3. Семейство вольт-амперных характеристик приборов с общим С-электродом.

4.  ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА: "ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СТРУКТУР".

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ.

Для скачивания нажмите на эту ссылку.